Morgen
Ich hab gelesen das der DDR2 Ram unglaublich billig gweorden ist ua. 1Gb für 25 €. Nun hab ich nur 1Gb (2*512) und wollte auf 3Gb aufrüsten. Was muss ich beachten? Sind die die hier empfehlenswert?
Hier noch Infos über Motherboard und aktueller speicher
Code:
--------[ Motherboard ]-------------------------------------------------------------------------------------------------
Motherboard Eigenschaften:
Motherboard ID 03/22/2005-RS480-SB400-6A666M4DC-00
Motherboard Name MSI RS480M2/RX480M2 (MS-7093)
Front Side Bus Eigenschaften:
Bustyp AMD Hammer
Tatsächlicher Takt 200 MHz
Effektiver Takt 200 MHz
HyperTransport Clock 1000 MHz
Speicherbus-Eigenschaften:
Bustyp Dual DDR SDRAM
Busbreite 128 Bit
Tatsächlicher Takt 199 MHz (DDR)
Effektiver Takt 398 MHz
Bandbreite 6366 MB/s
Motherboard Technische Information:
CPU Sockel/Steckplätze 1 Socket 939
Erweiterungssteckplätze 3 PCI, 1 PCI-E x16
RAM Steckplätze 4 DDR DIMM
Integrierte Geräte Audio, Video, LAN, IEEE-1394
Bauform (Form Factor) Micro ATX
Motherboardgröße 240 mm x 240 mm
Motherboard Chipsatz RS480/RX480
Motherboardhersteller:
Firmenname Micro-Star International
Produktinformation http://www.msi.com.tw/program/products/mainboard/mbd/pro_mbd_list.php
BIOS Download http://www.msi.com.tw/program/support/bios/bos/spt_bos_list.php
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: Samsung M3 68L6523CUS-CCC ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Seriennummer 0604C32Dh
Herstellungsdatum Woche 17 / 2005
Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller:
Firmenname Samsung
Produktinformation http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
[ DIMM2: 512 MB PC3200 DDR SDRAM ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Seriennummer Keine
Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt